三星将采用台积电3nm工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星电子将采用台积电3nm工艺生产英伟达下一代定制高带宽内存(HBM)的基底裸片，此前三星HBM产品均由三星自主生产。英伟达要求三星、SK海力士和美光使用台积电3nm工艺制造基底裸片，核心裸片统一采用1c工艺，目的是标准化制造方案以实现稳定一致的性能。