美光宣布放弃4F² DRAM技术路线，转向3D DRAM

美光在2026年度技术网络研讨会上宣布，经过二十多年探索后，4F² DRAM因复杂度和成本问题没有可行的规模化路径，将转向3D DRAM作为未来发展路径。美光展示了第7代10nm级DRAM节点1δ已进入良率爬坡阶段，第8代1ε引入晶圆键合技术，第1代亚10nm级节点ζÅ导入High NA EUV光刻。