三星将采用台积电3纳米工艺为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星电子计划采用台积电的3纳米工艺生产英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）基底裸片。此举标志着三星将首次在HBM制造阶段与台积电展开合作，英伟达要求供应商统一制造工艺以确保性能一致性。