美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡

美光在2026年度技术网络研讨会上预告了G11 NAND闪存，该产品堆叠超过400层，存储密度是现有276层G9 NAND的2倍左右，I/O速率最高提升1.5倍，数据传输能耗减少25%以上。美光计划在2027H2实现G11 NAND的产能爬坡，并展示了两种AI-class数据中心级NAND设计。